onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 88 A 56 W, 4-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
NVD5C454NLT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

88A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

56W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.25mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
VN
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und hoher Wärmeleistung. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Hohe Strombelastbarkeit

PPAP-fähig

Vorteile

Minimale Leitungsverluste.

Robustes Lastverhalten

Spannungsüberlastungsschutz

Anwendungen

Treiber für Niederspannungsseite

Treiber für Hochspannungsseite

Motorantrieb

Endprodukte

Automobil-Antriebsstrang

Automobil-HLK-Motoren

ABS-Druckpumpen

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