onsemi FCMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W, 4-Pin Power88
- RS Best.-Nr.:
- 178-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- FCMT250N65S3
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | FCMT | |
| Gehäusegröße | Power88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie FCMT | ||
Gehäusegröße Power88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 8mm | ||
Breite 8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 210 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting
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