onsemi FCMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
195-2502
Herst. Teile-Nr.:
FCMT360N65S3
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

FCMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Länge

8mm

Breite

8 mm

Automobilstandard

Nein

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung, eine dv/dt-Rate und eine höhere Lawinenenergie zu bieten. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie Server-/Telekommunikations-Leistungs-, Adapter- und Solarwechselrichteranwendungen geeignet. Das Power88-Gehäuse ist ein ultraflaches SMD-Gehäuse (1 mm hoch) mit niedriger Bauhöhe und geringer Abmessung (8 * 8 mm2). SuperFET III MOSFET in einem Power88-Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung durch geringere parasitäre Quelleninduktivität und getrennte Leistungs- und Antriebsquellen.

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