onsemi FCMT360N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung, eine dv/dt-Rate und eine höhere Lawinenenergie zu bieten. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie Server-/Telekommunikations-Leistungs-, Adapter- und Solarwechselrichteranwendungen geeignet. Das Power88-Gehäuse ist ein ultraflaches SMD-Gehäuse (1 mm hoch) mit niedriger Bauhöhe und geringer Abmessung (8 * 8 mm2). SuperFET III MOSFET in einem Power88-Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung durch geringere parasitäre Quelleninduktivität und getrennte Leistungs- und Antriebsquellen.