onsemi NTMT150N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 192 W, 4-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6737
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMT150N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 221-6737
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMT150N65S3HF
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTMT150N | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTMT150N | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität: 400 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft