onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin FCP165N65S3

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178-4676
Herst. Teile-Nr.:
FCP165N65S3
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SUPERFET III

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

154W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Höhe

16.3mm

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free, Halide Free

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)

Internal Gate Resistance: 4.6 Ω

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 140 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consumer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer

Game Console

Telecom / Server

LCD / LED TV

LED Lighting / Ballast

Adapter

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