Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 178-7451
Herst. Teile-Nr.:: IPT007N06NATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:: 178-7451
Herst. Teile-Nr.:: IPT007N06NATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	300A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	OptiMOS 5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	216nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	10.1mm
	Höhe	2.4mm
	Länge	10.58mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie OptiMOS 5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 216nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 10.1mm
	Höhe 2.4mm
	Länge 10.58mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 300 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT007N06NATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstromverstärkungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und wird in einem oberflächenmontierten HSOF-Gehäuse geliefert, um kompakte Leiterplattenlayouts und ein effizientes Wärmemanagement zu unterstützen.

Merkmale und Vorteile:

• 60-V-Ablasswert ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsdesigns
• 300 A Dauerstromverarbeitung für schwere Schaltvorgänge
• 1 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste in Hochstrompfaden
• 375 W Verlustleistung ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 216 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Gate-Toleranz ±20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Transienten

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Stromumwandlung in Server- und Rechenzentren
• Ideal für Motor-Frequenzumrichter-Ausgangsstufen
• Wird für die synchrone Hochstromgleichrichtung in Netzteilen verwendet
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für industrielle Energiemanagement und Antriebe

Welche thermischen Grenzwerte sollten Entwickler für den Dauerbetrieb berücksichtigen?

Das Gerät ist für eine Verlustleistung von bis zu 375 W ausgelegt

müssen die Entwickler sicherstellen, dass ausreichendes Leiterplattenkupfer, Wärmeleitpasten oder Kühlkörper vorhanden sind, um die Sperrschichttemperatur angesichts der Verlustleistung des Systems innerhalb zulässiger Grenzen zu halten.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Auswahl der Antriebsstromkreise aus?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 216 nC müssen Gate-Treiber ausreichend Spitzenstrom und Schaltgeschwindigkeit liefern, um die gewünschten Übergangszeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste und EMI zu bewältigen.

Was sind die Details zur mechanischen Befestigung und zur Anzahl der Stifte des Geräts?

Er wird in einem oberflächenmontierten HSOF-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, was Verbindungen auf Leiterplattenebene mit niedriger Induktivität für Hochstrompfade ermöglicht.

Welcher Betriebstemperaturbereich kann bei der Systemkonstruktion erwartet werden?

Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Umgebungen, wenn geeignete thermische Designpraktiken angewendet werden.