Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 178-7481
Herst. Teile-Nr.:: BSC011N03LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 178-7481
Herst. Teile-Nr.:: BSC011N03LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	96W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Länge	6.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 96W
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Länge 6.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.35mm
	Automobilstandard Nein

BSC030P03NS3G

RoHS Status: Ausgenommen

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC011N03LSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochstrom-Niederspannungsanwendungen in oberflächenmontierbaren Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und ist für anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen vorgesehen, in denen eine effiziente Leitfähigkeit und schnelles Schalten erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 1,4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hohe kontinuierliche Ablassleistung von 100 A für schwere Lasten
• Die Spitzenverlustleistung von 96 W unterstützt eine erhöhte Leistungsübertragung
• Niedrige Durchlassspannung von 1 V verbessert die Umwandlungseffizienz
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Die Nenn-Gate-Toleranz von 20 V schützt vor Gate-Überspannung

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Servern
• Ideal für Hochstrom-Motor-Antriebsstufen
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Telekommunikationsracks verwendet
• Kann für die DC/DC-Stromumwandlung in Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement- und Ladesysteme

Welche thermischen Grenzwerte sollten die Entwickler bei Dauerbetrieb zulassen?

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt, daher sollte das Wärmemanagement sicherstellen, dass die Sperrschichttemperaturen unter der erwarteten Verlusttemperatur innerhalb dieses Bereichs bleiben.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Antriebsanforderungen aus?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 36 nC müssen Gate-Treiber schnell ausreichend geladen werden, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig Übergangsverluste zu minimieren.

Welche Befestigungsaspekte sind für eine zuverlässige Leistung erforderlich?

Die Komponente wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit den Maßen 6,1 x 5,35 mm geliefert, sodass Leiterplatten-Muster und Lötfilets die Wärmeleitfähigkeit und mechanische Stabilität aufnehmen sollten.

Welche elektrischen Nennwerte bestimmen die maximale Schaltspannung und den maximalen Strom?

Das Gerät hat eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V und einen kontinuierlichen Ablassstrom von 100 A

sollten Schalttopologien innerhalb dieser elektrischen Grenzen bleiben.