Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

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133-9901
Herst. Teile-Nr.:
BSC020N03LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Länge

5.35mm

Breite

6.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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