Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC014N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC014N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.15mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD20 and JESD22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.15mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD20 and JESD22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC014N04LSATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, unterstützt erhebliche kontinuierliche Ableitströme und ist für kompakte Leistungsumwandlungen und hocheffiziente Schaltvorgänge in industriellen elektronischen Systemen vorgesehen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 1.4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die typische Gate-Ladung von 61 nC unterstützt eine schnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 96 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die typische Gate-Ladung von 61 nC unterstützt eine schnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 96 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb
Anwendungsbereich
• Geeignet für Primär- und Sekundärstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Hochstromstromschienen in Industrieanlagen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern für effizientes Schalten verwendet
• Kann für Motortreiber-Halbbrückenmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen
• Ideal für Hochstromstromschienen in Industrieanlagen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern für effizientes Schalten verwendet
• Kann für Motortreiber-Halbbrückenmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte vorgesehen.
Wie bewältigt es erweiterte Temperaturbereiche?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.
Welche Gate-Drive-Einschränkungen sollten Entwickler beachten?
Das Gerät ermöglicht eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieser Grenze bleiben müssen.
Welcher elektrischer Polarität und welchem Kanalverhalten folgt er?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das einen positiven Gate-Antrieb erfordert, um zu leiten.
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