Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8969
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 275A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 275A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuen 40-V- und 60-V-Produktfamilien von Infineon verfügen nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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