Infineon OptiMOS™ 5 BSC016N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 178-7491
Herst. Teile-Nr.:: BSC016N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 BSC016N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Mehr Infos und technische Dokumente

BSC016N06NS OptiMOS Power-Transistor

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	2,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	139 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Länge	6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V