Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4325
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC016N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 906-4325
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- BSC016N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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