Infineon OptiMOS™ 5 BSC016N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4325
Herst. Teile-Nr.:: BSC016N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 BSC016N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC016N06NSATMA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	2,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	139 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Länge	6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5mm
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V