Infineon OptiMOS™ 3 BSC077N12NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 754-5285
Herst. Teile-Nr.:: BSC077N12NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 BSC077N12NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC077N12NS3GATMA1
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Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	98 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	7,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	139 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.1mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5.35mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	66 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.1mm