Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 178-7496
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC011N03LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 178-7496
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- BSC011N03LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC011N03LSIATMA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom-Niederspannungsanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für den Einsatz in Bereichen vorgesehen, in denen eine effiziente Leitungsführung und eine schnelle Gate-Steuerung erforderlich sind. Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert und ist für die direkte Montage auf Leiterplattenoberflächen vorgesehen.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 1,4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 100 A unterstützt schwere Lasten
• Niedrige Durchlassspannung Vf 0,7 V verbessert die Effizienz unter Last
• Mäßige Gate-Ladung von 34 nC ermöglicht relativ schnelles Schalten
• Die maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 96 W hält erhöhten thermischen Belastungen stand
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 100 A unterstützt schwere Lasten
• Niedrige Durchlassspannung Vf 0,7 V verbessert die Effizienz unter Last
• Mäßige Gate-Ladung von 34 nC ermöglicht relativ schnelles Schalten
• Die maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 96 W hält erhöhten thermischen Belastungen stand
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Systemen mit hoher Entladung
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Wird zum Schalten von Hochstromlasten auf oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Systemen mit hoher Entladung
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Wird zum Schalten von Hochstromlasten auf oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Die Gate-to-Source-Nennspannung ist auf maximal 20 V begrenzt, daher sollte der Gate-Antrieb innerhalb dieses Bereichs gehalten werden, um dielektrische oder Gate-Oxid-Beschwerden zu vermeiden.
Wie bezieht sich die thermische Leistung auf extreme Umgebungsbedingungen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C Sperrschichttemperatur ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen, sofern ein angemessenes Wärmemanagement durchgeführt wird.
Welche Überlegungen sind bei der Montage und der Grundfläche zu berücksichtigen?
Er wird in einem TDSON-Gehäuse mit acht Stiften für die Oberflächenmontage geliefert
stellen sicher, dass die Leiterplatten-Wärmeleitungen und der Kupferbereich die 96-W-Verlustleistung und Hochstrompfade aufnehmen.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Wahl der Schaltkreistopologie aus?
Der N-Kanal-Verbesserungsmodus erfordert, dass das Gate positiv gegenüber der Quelle für die Leitung angesteuert wird, womit er als Low-Side-Schalter oder in synchronen Arrangements geeignet ist.