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    Infineon OptiMOS™ BSZ065N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 26 W, 8-Pin TDSON

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    906-4331
    Herst. Teile-Nr.:
    BSZ065N03LSATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Nicht zutreffend

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.40 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeTDSON
    SerieOptiMOS™
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.8,6 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.26 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge3.4mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs5,2 nC @ 4,5 V
    Breite3.4mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1V

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