Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
178-7485
Herst. Teile-Nr.:
BSC028N06NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS

Breite

5.35 mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 5, 137 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100 W maximale Verlustleistung - BSC028N06NSATMA1


Dieser Hochleistungs-MOSFET eignet sich für Anwendungen, bei denen es auf Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Mit einem maximalen Dauerstrom von 137 A und einer Durchbruchsspannung von 60 V eignet er sich hervorragend für Power-Management-Systeme und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für Fachleute in der Automatisierung und Elektronik. Sein erweiterter Gate-Schwellenspannungsbereich fördert die präzise Schaltleistung und gewährleistet einen effektiven Betrieb in verschiedenen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt Hochleistungsanwendungen mit einer maximalen Verlustleistung von 100 W

• Niedriger RDS(on) von 4,2mΩ für verbesserte Effizienz

• N-Kanal-Konfiguration für verbesserte Leistung

• TDSON-Paket für effektives Wärmemanagement

• Minimale Betriebstemperatur von -55°C, ideal für extreme Bedingungen

• Lawinengeprüft für Langlebigkeit unter transienten Bedingungen

Anwendungsbereich


• Verwendet in synchronen Gleichrichterschaltungen für Stromversorgungen

• Geeignet für Elektrofahrzeuge und industrielle Automatisierung

• Anwendung in Schaltnetzteilen zur effektiven Energieumwandlung

• Einsatz in USV-Systemen für zuverlässige Stromversorgungslösungen

• Geeignet für DC-DC-Wandler und Wechselrichter in erneuerbaren Energiesystemen

Was ist der geeignete Temperaturbereich für den Betrieb?


Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und eignet sich für unterschiedliche Umgebungsbedingungen.

Wie funktioniert das Wärmemanagement dieser Komponente?


Das TDSON-Gehäuse des Bausteins optimiert den Wärmewiderstand und sorgt für eine effiziente Wärmeableitung während des Betriebs.

Welche Gate-Spannung ist für eine optimale Leistung erforderlich?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20V, während die Gate-Schwellenspannung zwischen 2,1V und 3,3V liegt, was eine effektive Ansteuerung ermöglicht.

Kann es in Hochfrequenz-Schaltanwendungen eingesetzt werden?


Ja, er ist mit dynamischen Eigenschaften ausgestattet, die das Schalten mit hohen Frequenzen unterstützen, so dass er sich für moderne elektronische Designs eignet.

Welche Sicherheitsvorkehrungen gibt es gegen elektrische Überlastungen?


Es ist für industrielle Anwendungen validiert und vollständig avalanche-getestet, was eine Sicherheit gegen transiente Stromspitzen bietet.

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