- RS Best.-Nr.:
- 180-7294
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4559ADY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (P- und N-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 58 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine Drain-Source-Spannung von 60 V. Er hat kontinuierliche Abflussströme von 5,3 A und 3,9 A. Er hat eine maximale Nennleistung von 3,4 W. MOSFET wurde optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität. Es ist nicht anwendbar in CCFL-Umrichtern.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N, P |
Dauer-Drainstrom max. | 5,3 A, 3,9 A. |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | TrenchFET |
Gehäusegröße | SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,072 O, 0,15 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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