Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 4.8 A 5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
180-7322
Herst. Teile-Nr.:
SI7898DP-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.085Ω

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay N-Kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 150 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 85 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 5 W und einen Dauerstrom von 4,8 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifreie Komponente (Pb)

• neues PowerPAK-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe und niedrigem Profil von 1,07 mm

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• PWM-optimiert

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET für schnelles Schalten

Anwendungen


• Primärseitige DC/DC-Netzteilschalter

• Industrielle Motorantriebe

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

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