Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 47 A 417 W TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 180-7345
Herst. Teile-Nr.:: SIHG47N65E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 47 A 417 W TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 180-7345
Herst. Teile-Nr.:: SIHG47N65E-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	47A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Serie	E
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.072Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	273nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	±30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	417W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247AC
	Serie E
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.072Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 273nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 417W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal TO-247AC-3 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 650 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 72 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 417 W und einen Dauerstrom von 47 A. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedrige Leistungszahl (FOM) Ron x Qg.

• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

• Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg)

Anwendungen

• Akkuladegeräte

• Leuchtstoff-Vorschaltbeleuchtung

• Stark Intensitätsentladung (HID)

• Motortreiber

• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

• Erneuerbare Energien

• Server- und Telekommunikationsnetzteile

• Solar-PV-Wechselrichter

• Schaltnetzteile (SMPS)

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS-geprüft