Vishay SIHG N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 268-8298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHG | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHG | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHG-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 22 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG150N60E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Enhancement-Modus-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Geräten entwickelt wurde. Er funktioniert über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem Durchsteckgehäuse geliefert, das für robuste Montage und wartungsfähige Baugruppen geeignet ist. Die RoHS-Konformität unterstützt den Einsatz dort, wo die Anforderungen an eingeschränkte Stoffe gelten.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 22 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Typische Gate-Ladung von 36 nC optimiert die Schaltdynamik
• Maximale Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Einsatz mit hoher Leistung
• 30-V-Gate-Toleranz für gängige Treiberspannungen
• 22 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Typische Gate-Ladung von 36 nC optimiert die Schaltdynamik
• Maximale Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Einsatz mit hoher Leistung
• 30-V-Gate-Toleranz für gängige Treiberspannungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Hochspannungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Motorantriebsstufen in Steuerungssystemen
• Verwendung mit zwangsluftgekühlten Stromversorgungen und Reglern
• Kann für USV und Energiespeicherschaltsysteme verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und reparierbare Baugruppen
• Ideal für Motorantriebsstufen in Steuerungssystemen
• Verwendung mit zwangsluftgekühlten Stromversorgungen und Reglern
• Kann für USV und Energiespeicherschaltsysteme verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und reparierbare Baugruppen
Welche Gehäusetypen sollte ich bei der Entwicklung einer Platine zulassen?
Er wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine kompatible Montagefläche und einen Kühlkörper zur Bewältigung thermischer Lasten erfordert.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Dauerbetriebsgrenzen aus?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, daher sollten Thermomanagement- und Derating-Strategien bei erhöhten Sperrschichttemperaturen angewendet werden, um die Zuverlässigkeit zu erhalten.
Welche Überlegungen werden für eine effiziente Schaltung empfohlen?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 36 nC und einer maximalen Vgs von 30 V wählen Sie einen Treiber, der in der Lage ist, die erforderliche Ladung schnell zu liefern, ohne die Gate-Spannungsgrenze zu überschreiten.
Welches Diodenverhalten ist bei der synchrone Schaltung zu erwarten?
Das eigensichere Vorwärtsspannungselement weist eine Durchlassspannung von ca. 1,2 V auf, was die Leitungsverluste beeinflusst, wenn die Body-Diode während der Rückwärtsspannungsereignisse leitet.