Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

Dieser N-Kanal-MOSFET wurde entwickelt, um Hochspannungsleistung in industriellen Elektronik- und Automatisierungsgeräten zu schalten und zu steuern. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor für den Einsatz in diskreten Leistungsstufen, in denen eine hohe Sperrspannung und eine hohe Stromkapazität erforderlich sind. Das Gerät wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für herkömmliche Montage- und Kühlkörperanordnungen geeignet ist.

• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 22 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme • Niedrige Rds(on) von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste • Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen robusten thermischen Durchsatz • 36 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten • 30-V-Gate-Toleranz für gängige Antriebsspannungen

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen • Ideal für Schaltnetzteile in Fertigungsanlagen • Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die ein Hochspannungsschalten erfordern • Kann für die Netzseitige Stromumwandlung in Automatisierungsregalen verwendet werden • Wird für die Entwicklung und Prüfung von Laborstromelektronik verwendet

Das Gerät funktioniert über einen breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis zu einer maximalen Sperrschichtgrenze von 150 °C für anspruchsvolle thermische Umgebungen.

Das durchkontaktierte TO-247AC-Format ermöglicht die direkte Befestigung an Kühlkörpern mittels Verpackungslasche und Standard-Befestigungsmaterial, um die Wärmeübertragung zu verbessern.

Das Gate sollte innerhalb der absoluten Grenzwerte von ±30 V betrieben werden, und die Schaltwellenformen sollten der typischen Gate-Ladung von 36 nC Rechnung tragen, um Übergangsverluste und Treibergrößen zu bewältigen.

Es handelt sich um ein Drei-Pin-Transistor-Layout, das mit gängigen Leistungs-Leiterplatten-Footprints und Durchsteckmontageprozessen kompatibel ist.