Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin SIHG150N60E-GE3 TO-247AC

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Herst. Teile-Nr.:
SIHG150N60E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHG

Gehäusegröße

TO-247AC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.158Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrekturnetzteilen eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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