Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 180-7401
Herst. Teile-Nr.:: SQ2389ES-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23

Voraussichtlich ab 12.11.2024 verfügbar.

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RS Best.-Nr.:: 180-7401
Herst. Teile-Nr.:: SQ2389ES-T1_GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 94mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 4.1A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,1 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOT-23
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,188 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1