Vishay TrenchFET SQ2362ES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-8108
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2362ES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der TrenchFET-Kfz-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Vishay Siliconix SQ2362ES-Serie hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 3 W.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Halogenfrei
Bleifrei
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Halogenfrei
Bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4.3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0.075 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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