Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
180-7400
Herst. Teile-Nr.:
SQ2362ES-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.04mm

Breite

2.64 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 95mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 4.3A. It has a driving voltage of 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

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