Vishay Einfach E Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 26 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB SIHP25N50E-GE3

RS Best.-Nr.:: 180-7790
Herst. Teile-Nr.:: SIHP25N50E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Einfach E Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 26 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB SIHP25N50E-GE3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

14,88 €

(ohne MwSt.)

17,705 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

Zusätzlich 280 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	2,976 €	14,88 €
50 - 120	2,738 €	13,69 €
125 - 245	2,528 €	12,64 €
250 - 495	2,38 €	11,90 €
500 +	2,23 €	11,15 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 180-7790
Herst. Teile-Nr.:: SIHP25N50E-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	26A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Serie	E
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.145Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	86nC
	Maximale Verlustleistung Pd	250W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	±30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Höhe	6.71mm
	Breite	10.52 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	14.4mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Serie E
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC
	Maximale Verlustleistung Pd 250W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Höhe 6.71mm
	Breite 10.52 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 14.4mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der durchkontaktierte N-Kanal-TO-220AB-3 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 145 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 250 W und einen Dauerstrom von 26 A. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Geringe Leistungszahl (FOM): Ron x Qg.

• Niedrige Gate-Ladung (Qg)

• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Anwendungen

• Hartschaltete Topologien

• PC-Silberbox/ATX-Netzteile

• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

• Schaltnetzteile (SMPS)

• Zweistufige LED-Beleuchtung

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS-geprüft