Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 50 V / 18 A 74 W JEDEC TO-220AB IRF9Z30PBF
- RS Best.-Nr.:
- 180-8311
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z30PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,521 € | 76,05 € |
| 250 - 450 | 1,429 € | 71,45 € |
| 500 - 1200 | 1,293 € | 64,65 € |
| 1250 - 2450 | 1,216 € | 60,80 € |
| 2500 + | 1,14 € | 57,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8311
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z30PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.14Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 10.52 mm | |
| Höhe | 6.48mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 14.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.14Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 10.52 mm | ||
Höhe 6.48mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 14.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-220AB-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 140 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 74 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Advanced Prozesstechnologie
• Schnelles Schalten
• Vollständig verfügbar
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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