Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB IRFZ44RPBF
- RS Best.-Nr.:
- 180-8357
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44RPBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
86,70 €
(ohne MwSt.)
103,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.250 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,734 € | 86,70 € |
| 100 - 200 | 1,544 € | 77,20 € |
| 250 + | 1,388 € | 69,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8357
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44RPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 28 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Advanced Prozesstechnologie
• Ersatz für IRFZ44, SiHFZ44 für Linear-/Audioanwendungen
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Schnelles Schalten
• Vollständig lawinengeprüft
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
Verwandte Links
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W JEDEC TO-220AB IRF9Z24PBF
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal 3-Pin IRFZ24PBF JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB IRLZ34PBF
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W JEDEC TO-220AB