Vishay IRF9Z14 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung -60 V / -6.7 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 542-9478
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z14PBF
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -6.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF9Z14 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF9Z14 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF9Z14 von Vishay, -60 V maximale Drain-Quellenspannung, -6,7 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF9Z14PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät für das Schalten und Steuern in elektronischen Systemen. Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert und eignet sich für Anwendungen, die einen diskreten Transistor erfordern, der mit moderaten Strömen und Spannungen arbeiten kann und über einen breiten Temperaturbereich arbeitet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von -60 V Drain‐Source ermöglicht das Schalten unter hoher Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 6,7 A unterstützt mittlere Leistungslasten
• 500 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 12 nC typische Gate-Ladung ermöglicht relativ schnelles Schalten
• 43 W Verlustleistung verwaltet thermische Lasten in kontrollierten Umgebungen
• Maximale Gate-Source-Beständigkeit von 20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 6,7 A unterstützt mittlere Leistungslasten
• 500 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 12 nC typische Gate-Ladung ermöglicht relativ schnelles Schalten
• 43 W Verlustleistung verwaltet thermische Lasten in kontrollierten Umgebungen
• Maximale Gate-Source-Beständigkeit von 20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design
Anwendungen
• Geeignet für das Schalten von Hochspannungsmotoren in Automatisierungssystemen
• Ideal für die Leistungssteuerung in industriellen Elektronikmodulen
• Wird mit Wärmemanagementbaugruppen in mechanischen Antrieben verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in elektrischen Verteilertafeln verwendet werden
• Ideal für die Leistungssteuerung in industriellen Elektronikmodulen
• Wird mit Wärmemanagementbaugruppen in mechanischen Antrieben verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in elektrischen Verteilertafeln verwendet werden
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Wie viele elektrische Anschlüsse bietet das Gehäuse für die Montage?
Das Durchstecklochformat TO-220AB verfügt über drei Stifte für eine einfache Leiterplatten- oder Chassismontage.
Welche Gate-Antriebsaspekte sollten beim Schalten beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung beträgt maximal 20 V und die typische Gate-Ladung beträgt 12 nC, sodass Antriebsschaltkreise Vgs begrenzen und genügend Strom liefern sollten, um das Gate bei der vorgesehenen Schaltgeschwindigkeit zu laden.
Gibt es für das Teil Umwelt- oder gesetzliche Materialstandards?
Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe in elektronischen Bauteilen.
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