onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET

RS Best.-Nr.:: 780-0595
Herst. Teile-Nr.:: NTHS4101PT1G
Marke:: onsemi

onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET

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RS Best.-Nr.:: 780-0595
Herst. Teile-Nr.:: NTHS4101PT1G
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6,7 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	ChipFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	52 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 4,5 V dc
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.7mm
Länge	3.1mm
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor

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