onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4.1 A 2.1 W, 8-Pin ChipFET

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

858,00 €

(ohne MwSt.)

1.020,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,286 €858,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
163-1110
Herst. Teile-Nr.:
NTHD4102PT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

ChipFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Dual-P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links