Teile-Nr.

onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin ChipFET

RS Stock No.:: 163-1113
Mfr. Part No.:: NTHS4101PT1G
Brand:: onsemi

onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin ChipFET

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RS Stock No.:: 163-1113
Mfr. Part No.:: NTHS4101PT1G
Brand:: onsemi

Specifications

Technical Reference

Legislation and Compliance

Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	NTK
	Gehäusegröße	ChipFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	52mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.1mm
	Breite	1.7 mm
	Höhe	1.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Select all
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie NTK
	Gehäusegröße ChipFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.1mm
	Breite 1.7 mm
	Höhe 1.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

COO (Country of Origin):: MY

onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin ChipFET

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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