Vishay TrenchFET SQ2308CES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,3 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-7943
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 150 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 2 W und einen Dauerstrom von 2,3 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• Typische ESD-Leistung 1500 V
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• Typische ESD-Leistung 1500 V
Anwendungen
• Adapterschalter
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,164 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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