Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 15 A 62 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
SUD15N15-95-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.095Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.38mm

Breite

6.73mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 150 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 95 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 62 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Adapterschalter

• DC/DC-Primärschalter

• Lastschalter

• Strommanagement

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