Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin AUIRFR48ZTRL TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7347
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR48ZTRL
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
12,95 €
(ohne MwSt.)
15,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,59 € | 12,95 € |
| 25 - 45 | 2,462 € | 12,31 € |
| 50 - 120 | 2,212 € | 11,06 € |
| 125 - 245 | 1,992 € | 9,96 € |
| 250 + | 1,896 € | 9,48 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7347
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR48ZTRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 91W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.73 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 91W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.73 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AUIRFR48ZTRL wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen eingesetzt.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFR48ZTRLPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin AUIRFR540Z TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFR540ZTRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252