Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 25 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 165-5922
Herst. Teile-Nr.:: IRLR3105TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 25 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 25A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 57W maximale Verlustleistung - IRLR3105TRPBF

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen vorgesehen, bei denen die Steuerung der elektrischen Leistung entscheidend ist. Er bietet effizientes Schalten und effektives Wärmemanagement und funktioniert in einem weiten Temperaturbereich, was ihn zu einer vorteilhaften Wahl für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrik macht.

Eigenschaften und Vorteile

• Verbessert die Effizienz mit niedrigem Rds(on) für geringere Verlustleistung
• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 25 A
• Ermöglicht zwei Gate-Source-Spannungspegel für zusätzliche Flexibilität
• Behält seine thermische Stabilität bei einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C bei
• Kompaktes DPAK TO-252-Gehäuse für einfache Oberflächenmontage
• Konzipiert für schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung

Anwendungsbereich

• Steuert Motorantriebe in Automatisierungssystemen
• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur Steigerung der Energieeffizienz
• Integriert in DC-DC-Wandler für elektronische Geräte
• Geeignet für Industrieanlagen, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für optimalen Betrieb

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich?

Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +175°C und bietet somit Vielseitigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Wie verhält es sich mit der Schaltgeschwindigkeit?

Er ist für schnelles Schalten ausgelegt und gewährleistet hohe Leistung bei Anwendungen, die schnelle Ein-Aus-Zyklen erfordern.

Welche Art der Befestigung wird unterstützt?

Dieser Baustein ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken konzipiert.

Kann es in Hochspannungsanwendungen eingesetzt werden?

Ja, er arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V und ist damit für Hochspannungsschaltungen geeignet.

Welche Überlegungen sollten hinsichtlich der Verlustleistung angestellt werden?

Die Verlustleistung kann bis zu 57 W betragen, mit einem Derating-Faktor von 0,38 W/°C, um einen sicheren Betrieb unter verschiedenen thermischen Bedingungen zu gewährleisten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	43 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	57 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Länge	6.73mm
Breite	6.22mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 5 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	2.39mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C