Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2627
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5505TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 217-2627
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5505TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | HEXFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 55 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 18 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 57 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 110 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 32 nC | |
| Breite | 2.39 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie HEXFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 55 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 18 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 57 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 6.22 mm | ||
Länge 6.73 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 110 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 32 nC | ||
Breite 2.39 mm | ||
The Infineon -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.
RoHS Compliant
Low RDS(on)
Industry-leading quality
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
175°C Operating Temperature
P-Channel MOSFET
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252