Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2627
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5505TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,938 € | 23,45 € |
| 125 - 225 | 0,891 € | 22,28 € |
| 250 - 600 | 0,854 € | 21,35 € |
| 625 - 1225 | 0,816 € | 20,40 € |
| 1250 + | 0,76 € | 19,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2627
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5505TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal und -55 V in einem D-Pak-Gehäuse.
RoHS-kompatibel
Niedriger RDS (EIN)
Branchenführende Qualität
Dynamische dv/dt-Bewertung
Fast Switching
Voll-Avalanche-Bewertung
Betriebstemperatur von 175 °C
P-Kanal-MOSFET
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