Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -55 V / -11 A 38 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
262-6770
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-678
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9024NTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

175mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.7nC

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Vollständig lawinenbeständig

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