Infineon HEXFET IRFU9024NPBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 541-1657
Herst. Teile-Nr.:: IRFU9024NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFU9024NPBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:: 541-1657
Herst. Teile-Nr.:: IRFU9024NPBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	175 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	38 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Breite	2.39mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	6.22mm