Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IRFU9024NPBF IPAK

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RS Best.-Nr.:
541-1657
Herst. Teile-Nr.:
IRFU9024NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

175mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 11A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 38W maximale Verlustleistung - IRFU9024NPBF


Dieser P-Kanal-MOSFET ist für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen vorgesehen. Er hat einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 11A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 55V und ist damit in der Lage, große Lasten zu bewältigen und gleichzeitig Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Die Durchsteckmontage ermöglicht eine nahtlose Integration in bestehende Konstruktionen und macht sie zu einer Schlüsselkomponente für Fachleute in der Automatisierung und Elektronik.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) von 175mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Maximale Verlustleistung von 38 W unterstützt robuste Leistung

• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht Entwicklungsprozesse

• Entspricht den bleifreien Normen für umweltbewusste Anwendungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Stromversorgungen und Wandlerschaltungen

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für einen effektiven Betrieb

• Integriert in Batteriemanagementsysteme für verbesserte Leistung

• Anwendbar in Automobilumgebungen für zuverlässige Leistungsaufnahme

• Ideal für industrielle Automatisierungsanlagen, die robuste Leistung erfordern

Wie groß ist der Temperaturbereich für einen stabilen Betrieb?


Das Bauteil arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen.

Wie kann er hohe Stromlasten effizient bewältigen?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 38 W und einem niedrigen Rds(on) von 175 mΩ bewältigt er hohe Leistungslasten bei minimalem Energieverlust.

Ist sie mit einem Standard-Leiterplattenlayout kompatibel?


Ja, die Durchsteckmontage ist mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel und erleichtert die einfache Integration.

Welche Kriterien sollten bei der Gate-Spannung berücksichtigt werden?


Ein Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V bietet Flexibilität; die optimale Leistung wird bei 10 V für einen effektiven Betrieb erreicht.

Wie trägt sie zur Effizienz des Energiemanagements bei?


Der niedrige On-Widerstand und die hohe Strombelastbarkeit maximieren die Effizienz in verschiedenen Power-Management-Szenarien.

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