Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 913-4783
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5505TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

0,39 €

(ohne MwSt.)

0,46 €

(inkl. MwSt.)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 - 2000	0,39 €	780,00 €
4000 +	0,37 €	740,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 913-4783
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5505TRPBF
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	57 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm