Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 913-4783
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5505TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

0,39 €

(ohne MwSt.)

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(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 - 2000	0,39 €	780,00 €
4000 +	0,37 €	740,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 913-4783
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5505TRPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	57 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.22mm
Höhe	2.39mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

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