Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin TO-236

RS Best.-Nr.:: 180-7990
Herst. Teile-Nr.:: SQ2309ES-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin TO-236

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RS Best.-Nr.:: 180-7990
Herst. Teile-Nr.:: SQ2309ES-T1_GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	TrenchFET Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-236
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.335Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	2.64 mm
	Höhe	1.12mm
	Länge	3.04mm
	Normen/Zulassungen	AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ TrenchFET Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-236
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.335Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 2.64 mm
	Höhe 1.12mm
	Länge 3.04mm
	Normen/Zulassungen AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 15,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 50 A und eine maximale Verlustleistung von 136 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Adapterschalter

• Lastschalter

Zertifizierungen

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft