Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
180-8367
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ44PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Länge

14.4mm

Höhe

6.48mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der MOSFET von Vishay ist ein N-Kanal-Gehäuse, TO-220AB-3 ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 28 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.

Merkmale und Vorteile


• Dynamische dV/dt-Nennleistung

• Einfache Parallelschaltung

• Schnelles Umschalten

• Bleifreie (Pb)-Komponente

• Logik-Level-Gate-Laufwerk

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C

• RDS (on) spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V

• Einfache Antriebsanforderungen

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Frequenzumrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)