Vishay Einfach N-Kanal 1 MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8367
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ44PBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 50 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 150 W | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 6.48 mm | |
| Länge | 14.4 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.028 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 66 nC | |
| Breite | 10.52 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 50 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 150 W | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 6.48 mm | ||
Länge 14.4 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.028 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 66 nC | ||
Breite 10.52 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-220AB-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 10V. It has a drain-source resistance of 28mohm at a gate-source voltage of 5V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 150W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Fast switching
• Lead (Pb) free component
• Logic-level gate drive
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• RDS (on) specified at VGS = 4V and 5V
• Simple drive requirements
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
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