Infineon HEXFET IRF3315PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 94 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 542-9226
Herst. Teile-Nr.:: IRF3315PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF3315PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 94 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 542-9226
Herst. Teile-Nr.:: IRF3315PBF
Marke:: Infineon

IRF3315PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	23 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	94 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.69mm
Länge	10.54mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	95 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	8.77mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRF3315PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 94 W, 3-Pin TO-220AB

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

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