Vishay Einfach N-Kanal 1 MOSFET 400 V / 5.5 A 74 W

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RS Best.-Nr.:
180-8631
Herst. Teile-Nr.:
IRF730ASPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

10.67mm

Länge

9.65mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 400 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 10 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 74 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom

• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)

• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt

• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Hochgeschwindigkeitsschalten

• Schaltnetzteil (SMPS)

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

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