Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 600 V / 6.2 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8656
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBC40APBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.52 mm | |
| Höhe | 6.71mm | |
| Länge | 14.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.52 mm | ||
Höhe 6.71mm | ||
Länge 14.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1,20 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 125 W. Das Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Effektive Cos spezifiziert
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Hochgeschwindigkeitsschalten
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
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