Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 250 V / 7.9 A 40 W TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
180-8661
Distrelec-Artikelnummer:
304-30-844
Herst. Teile-Nr.:
IRFI644GPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-220FP

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.28Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 250 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 77 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 48 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Dynamische dV/dt-Bewertung

• Isoliertes Gehäuse

• bleifreie Komponente (Pb)

• Niedriger Wärmewiderstand

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Die Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung beträgt 4,8 mm

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

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