Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin TO-262

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Hochspannungsbeanspruchung und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit in einem Durchsteck-Leistungsgehäuse erfordern.

• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme • Der Einschaltwiderstand von 3 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen • Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht die Handhabung einer erheblichen Leistung in begrenzten Abmessungen • Die typische Gate-Ladung von 78 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergiebudgetlierung • 20 V Gate-Source-Grenze schützt die Gate-Antriebsauswahl und das Schaltungsdesign

• Geeignet für industrielle Stromversorgungen und DC/DC-Wandler • Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden mit moderatem Strom • Wird für Snubber- oder Klemmschaltungen in Hochspannungssystemen verwendet • Kann für Schaltelemente in Schweiß- oder Plasmasteuerungselektronik verwendet werden

Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen.

Das TO-262-Gehäuse erfordert eine Durchsteckmontage und größere Kupferflächen zur Wärmeableitung.

Eine typische Gate-Ladung von 78 nC bei der Gate-Antriebsspannung bestimmt den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltverluste während der Übergänge.

Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber und Schutznetzwerke eine Überschreitung verhindern müssen.