Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8832
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z24SPBF
- Marke:
- Vishay
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- 180-8832
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- IRF9Z24SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2.79mm | |
| Breite | 10.67 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2.79mm | ||
Breite 10.67 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRF9Z24S ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -60 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263). Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,28 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: -11 A.
Advanced Prozesstechnologie
Oberflächenmontage
175 °C Betriebstemperatur
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