onsemi N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 128 A 37,5 W, 3-Pin TO-220F

RS Best.-Nr.:: 181-1862
Herst. Teile-Nr.:: FDPF4D5N10C
Marke:: onsemi

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 128 A 37,5 W, 3-Pin TO-220F

Preis pro Stück (In einer Stange von 1000)**

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RS Best.-Nr.:: 181-1862
Herst. Teile-Nr.:: FDPF4D5N10C
Marke:: onsemi

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	128 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	37,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	4.9mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Länge	10.36mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	16.07mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 128 A 37,5 W, 3-Pin TO-220F

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