onsemi FDP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 128 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 181-1903
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP4D5N10C
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 128A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | FDP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.21mm | |
| Breite | 4.67 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 128A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie FDP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.21mm | ||
Breite 4.67 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Max RDS(on) = 4,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 128 A.
Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie
Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr
Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike
Niedrige Gate-Ladung, QG = 48 nC (typ.)
Geringe Schaltverluste
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Niedrige Qrr/Trr
Soft-Recovery-Leistung
Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.
Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Micro Solar-Wechselrichter
Server
Telekom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)
Motorantrieb
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Solarwechselrichter
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