onsemi PowerTrench FDP2572 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 4 A 135 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 146-1963
Herst. Teile-Nr.:: FDP2572
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench FDP2572 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 4 A 135 W, 3-Pin TO-220AB

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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

1,786 €

(ohne MwSt.)

2,125 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 200	1,786 €	89,30 €
250 +	1,45 €	72,50 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 146-1963
Herst. Teile-Nr.:: FDP2572
Marke:: onsemi

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	PowerTrench
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	54 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	135 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	26 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	9.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C